根據IC Insights的最新版McClean Report，隨著所有的NAND閃存(flash)供應商提高3D NAND的產能，預計與NAND相關的資本支出總額將超過310億美元，占半導體產業總額的31%。不過，相較于2017年NAND Flash資本支出成長暴增91%，今年NAND資本支出總額增幅減緩至13%。

　　同時，該報告預測，DRAM和SRAM的資本支出增幅將比其他任何產業更高，繼2017年大幅成長82%后，今年將再成長41%。根據該報告，DRAM/SRAM的資本支出預計將達到229億美元，占整體半導體產業的22%。

　　IC Insights預計，全球半導體產業總計將達到1,020億美元——包括現有晶圓廠產線和全新制造設施的升級，象征著半導體產業第一次為資本支出注入突破1,000億美元大關。該公司稱，今年的總資本支出將比2017年增加9%，并較2016年的資本支出增加了38%。

　　IC Insights警告道，經過兩年的資本支出大幅增加后，業界過度看好NAND flash市場需求的風險相當高且不斷成長。IC Insights指出，三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /長江存儲科技(YMTC)都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND flash產能，此外，還有其他新的中國內存新創公司可能進入市場。

　　IC Insights在新聞發布中指出：“內存市場的歷史先例顯示，過多的支出通常會導致產能過剩以及緊隨而來的價格疲軟。”