兩款器件都采用意法半導體的250nm BiCMOS 制造技術，此項技術的高可靠性經過多年量產的消費性電子芯片和要求更嚴格的航天、汽車和醫療 設備芯片以及其他抗輻射產品（如模數轉換器）的檢驗。
這兩款器件具有多項優異性能，包括僅5 ppm （典型值）的溫度系數，經由激光校對可達 +/- 0.15% 的精 確度，以及器件之間卓越的溫度曲線匹配性；而寬達40μA至12mA的陰極電流范圍，可確保在維持靈活性的同時保證精 確度和穩定性。
除優異的電氣性能外，兩款新產品還兼具同級最佳的抗電離總劑量 （TID， Total IonizaTIon Dose） 和單粒子效應 （SEE， Single Event Effect） 的抗輻射性能，無ELDRS 效應高達 300krad （在劑量率達到很高水平時，芯片的主要參數仍可保持穩定），完全不受單粒子閉鎖效應 （Latch-up） 的影響 （在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不發生單粒子閉鎖效應），發生單粒子瞬變效應的概率極低 （截面SET Cross secTIon 《 3.10-4） 。輻射效應持續時間極短，且幅度很低。
